Обработано 1 047 230 обзоров
Модули памяти

Лучшие Модули памяти Samsung 2023 года

Лучшие Модули памяти Samsung 2023 года

Лучшие Модули памяти Samsung 2023 года

Лучшие Модули памяти Samsung 2023 года

1 Лучший Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273DH0-CH9

4.8 / 52 отзыв(а)

  • объем памяти: 4 ГБ
  • тип: DDR3 SODIMM 204-pin
  • тактовая частота: 1333 МГц
  • тайминги: 9-9-9
  • напряжение питания: 1.5 В
2 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A2K43CB1-CTDD0

4.9 / 12 отзыв(а)

  • объем памяти: 16 ГБ
  • тип: DDR4 SODIMM 260-pin
  • тактовая частота: 2666 МГц
  • тайминги: 19-19-19-32
  • напряжение питания: 1.2 В
3 Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 2933 МГц LRDIMM CL21 M386AAG40MMB-CVFBY
  • объем памяти: 128 ГБ
  • тип: DDR4 LRDIMM 288-pin
  • тактовая частота: 2933 МГц
  • тайминги: 21-21-21
  • напряжение питания: 1.2 В
4 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M378A5244CB0-CTDDY

4.7 / 15 отзыв(а)

  • объем памяти: 4 ГБ
  • тип: DDR4 DIMM 288-pin
  • тактовая частота: 2666 МГц
  • тайминги: 19-19-19
  • напряжение питания: 1.2 В
5 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M378A1K43EB2-CVF

4.5 / 13 отзыв(а)

  • объем памяти: 8 ГБ
  • тип: DDR4 DIMM 288-pin
  • тактовая частота: 2933 МГц
  • тайминги: 21
  • напряжение питания: 1.2 В
6 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70QH0-YK0
  • объем памяти: 16 ГБ
  • тип: DDR3L DIMM 240-pin
  • тактовая частота: 1600 МГц
  • тайминги: 11
  • напряжение питания: 1.35 В
7 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5173DB0-CK0

4.9 / 2 отзыв(а)

  • объем памяти: 4 ГБ
  • тип: DDR3 DIMM 240-pin
  • тактовая частота: 1600 МГц
  • тайминги: 11-11-11-35
  • напряжение питания: 1.5 В
8 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43CB1-CTD

4.9 / 55 отзыв(а)

  • объем памяти: 8 ГБ
  • тип: DDR4 SODIMM 260-pin
  • тактовая частота: 2666 МГц
  • тайминги: 19-19-19-32
  • напряжение питания: 1.2 В
9 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC

4.8 / 18 отзыв(а)

  • объем памяти: 8 ГБ
  • тип: DDR4 SODIMM 260-pin
  • тактовая частота: 2400 МГц
  • тайминги: 17-17-17
  • напряжение питания: 1.2 В
10 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M378A1K43CB2-CTD

4.8 / 78 отзыв(а)

  • объем памяти: 8 ГБ
  • тип: DDR4 DIMM 288-pin
  • тактовая частота: 2666 МГц
  • тайминги: 19-19-19-32
  • напряжение питания: 1.2 В

Вам может понравиться

Вам может понравиться

Вам может понравиться

Вам может понравиться